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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Compara
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
35
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
35
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2636
2731
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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