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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
87
En -181% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2762
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
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Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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