TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

Note globale
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Note globale
star star star star star
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 17.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    870.4 left arrow 13.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    31 left arrow 87
    Autour de -181% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 5300
    Autour de 4.02 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    87 left arrow 31
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,155.6 left arrow 17.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    870.4 left arrow 13.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    417 left arrow 2762
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons