RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
45
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
2,935.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
10.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
8.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
2374
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link