RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
26
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
17.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3499
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link