RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
26
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
19
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
17.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3499
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link