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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
49
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2413
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
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