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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
49
En 47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
49
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2413
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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