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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
51
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.4
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
45
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2281
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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