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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2481
3551
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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