RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
53
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
8.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1668
2319
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link