RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
53
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.9
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
53
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
10.1
Скорость записи, Гб/сек
7.1
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2319
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link