RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
53
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
53
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
10.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2319
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link