RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
53
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
53
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1668
2319
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link