RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
8500
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1668
1948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link