Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 30
    Wokół strony 7% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.1 left arrow 7.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12 left arrow 10.9
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.9 left arrow 12.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.1 left arrow 7.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8500 left arrow 8500
Other
  • Opis
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1668 left arrow 1948
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania