Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 30
    Rund um 7% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.1 left arrow 7.0
    Durchschnittswert bei den Tests
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12 left arrow 10.9
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 12.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.1 left arrow 7.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 8500
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1668 left arrow 1948
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