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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
7.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
8500
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1668
1948
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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