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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2014
3416
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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