RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
28
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2014
3171
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link