RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
40
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2014
2959
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link