RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
31
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
3023
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link