RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
31
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
3079
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link