RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gesamtnote
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
26
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
17.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1932
3848
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link