Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Gesamtnote
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Gesamtnote
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Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 27
    Rund um 4% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.5 left arrow 11.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 7.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.5 left arrow 11.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 7.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1932 left arrow 1533
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