Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB против Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 27
    Около 4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.5 left arrow 11.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.8 left arrow 7.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.5 left arrow 11.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1932 left arrow 1533
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения