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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
比较
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
总分
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
总分
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
13.5
11.2
写入速度,GB/s
7.8
7.7
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1932
1533
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
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