Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

总分
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

总分
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Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    26 left arrow 27
    左右 4% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    13.5 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    7.8 left arrow 7.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    26 left arrow 27
  • 读取速度,GB/s
    13.5 left arrow 11.2
  • 写入速度,GB/s
    7.8 left arrow 7.7
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1932 left arrow 1533
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