Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Punteggio complessivo
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 27
    Intorno 4% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.5 left arrow 11.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.8 left arrow 7.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    26 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.5 left arrow 11.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 7.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1932 left arrow 1533
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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