Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Pontuação geral
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Pontuação geral
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Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 27
    Por volta de 4% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.5 left arrow 11.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.8 left arrow 7.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    26 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.5 left arrow 11.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.8 left arrow 7.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1932 left arrow 1533
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RAM 2

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