RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
42
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1932
2701
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link