RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
42
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
2701
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link