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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

总分
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

总分
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Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

差异 规格 评论

差异

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 26
    左右 -4% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 13.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    17.4 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    13.5 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 17.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1932 left arrow 3848

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM的比较

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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
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内存RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
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Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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内存RAM
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