RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
36
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2497
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link