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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
36
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2497
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
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Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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