RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
44
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3005
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link