RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
44
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3005
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link