RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
39
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2183
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link