RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
43
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2058
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link