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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
43
读取速度,GB/s
17.4
13.9
写入速度,GB/s
10.9
8.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2058
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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