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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
51
左右 -122% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
23
读取速度,GB/s
15.6
18.0
写入速度,GB/s
11.8
13.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3070
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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