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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.9
16.8
写入速度,GB/s
8.6
12.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2816
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
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