RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3070
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XF875V-MIH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link