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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
36
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2618
2947
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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