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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.5
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2947
2524
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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