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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
33
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.1
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2947
2524
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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