RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Compara
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2947
2524
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link