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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
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