RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
48
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
48
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2466
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G16002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link