RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
48
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2466
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link