RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
39
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2405
3000
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link