G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

Средняя оценка

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 39

Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 15.1

Среднее значение в тестах

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

12.6 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 39
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 15.1
Скорость записи, Гб/сек

9.0 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2405 3000

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB

Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

модули RAM