RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
39
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
14.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2904
3177
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link