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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
35
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
2155
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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