Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Gesamtnote
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    22 left arrow 35
    Rund um 37% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.7 left arrow 13.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 10.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 17000
    Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    22 left arrow 35
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.7 left arrow 13.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 10.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    3075 left arrow 2155
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RAM 1
RAM 2

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